Компания Intel снова совершает если не прорыв в области создания более емких устройств хранения данных, то серьезно продвигается в направлении модернизации традиционной кэш-памяти центральных процессоров. Речь в данном случае идет о новейшей технологии создания ячейки памяти – так называемой floating-body cell (FBC), в данном случае используется единственный транзистор с эффектом плавающего заряда, тогда как традиционная ячейка кэш-памяти состоит из сразу шести «обычных» транзисторов. Впервые технология была представлена общественности несколько лет назад, и теперь инженеры Intel занимаются изготовлением FBC-микросхемы с использованием имеющихся технологий производства ИС – металлический затвор, High-k-материалы.
Благодаря своей уникальной конструкции ячейка памяти floating-body cell оказывается в три-четыре раза компактнее традиционной кэш-памяти, именно поэтому разработчики и уделяют столь значительное внимание указанной технологии. Преимуществом же FBC-памяти относительно eDRAM, также одного из кандидатов на замену кэш-памяти, является менее высокая стоимость изготовления.
В данный момент инженеры Intel заняты оптимизацией технологии изготовления ячейки памяти – уже сейчас разработана FBC-ячейка второго поколения, изготовляемая по планарной технологии, для которой необходим единственный затвор, вместо двух, используемых в случае FBC-ячейки первого поколения, представленной в 2006 году. Отмечается также, что изготовление устройств можно проводить с использованием «сухой» литографии с излучением с длиной волны 193 нм, не переходя на более дорогую иммерсионную литографию. Пока разработчики оперируют с одиночными ячейками памяти, однако следующей целью является создание массива и сбор статистики измерений параметров его работы. Тем не менее, уже полученные данные очень хорошо соответствуют математическим моделям, и сотрудники Intel полны оптимизма относительно будущих исследований.
