10.02.2010

Компании Nanya Technology и Micron Technology заявили о создании совместными усилиями 2-гигабитных чипов DDR3-памяти с использованием передового 42-нм техпроцесса. Новые продукты найдут применение в самых разнообразных приложениях, включая серверные компьютеры, ноутбуки и настольные ПК.

Переход на более прецизионный технологический процесс позволил снизить напряжения питания со стандартных 1,5 В для памяти предыдущего поколения до 1,35 В. 42-нм чипы позволяют сэкономить до 30% электроэнергии по сравнению с предшественниками, а также снизить требования к системам охлаждения.

Среди достоинств новых микросхем также отмечается более высокая производительность – до 1866 Мбит/с. Малые размеры 42-нм чипов позволяют создавать на их основе компактные модули ёмкостью до 16 Гб.

При внедрении нового техпроцесса в производство инженеры Micron и Nanya использовали передовую технологию медной металлизации и технологию собственной разработки "cell capacitor”. Медную металлизацию планируется применять также и при переходе на техпроцессы "30-нм класса”.

Поставки образцов 42-нм чипов партнерам стартуют во втором квартале, а массовое производство намечено на второе полугодие.